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參數(shù)資料
| 型號： | 2SJ222 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P-Channel MOS FET |
| 中文描述： | 硅P溝道場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 34K |
| 代理商： | 2SJ222 |
2SJ222
4
60
40
20
0
50
100
150
Case Temperature T
C
(°C)
Power vs. Temperature Derating
C
–100
–10
–1
–0.1
–10
–100
–1000
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
Maximum Safe Operation Area
–30
–0.3
–1
–3
–30
–300
Ta = 25°C
10
μ
s
100
1ms
DCOpeaion(T
C
=25C
Operation in this area
is limited by R
DS (on)
–3
3
Pulse Width PW (s)
γ
S
1.0
0.1
0.3
D = 1
10
μ
0.03
0.01
100
μ
10 m
100 m
1
10
1 m
T
C
= 25°C
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
T
PW
P
DM
D =
T
PW
θ
ch–c (t) =
γ
(t) ·
θ
ch–c
θ
ch–c = 3.57°C/W, T
C
= 25°C
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SJ244 | Silicon P-Channel MOS FET |
| 2SJ245 | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ245L | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ245S | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
| 2SJ246 | SILICON P-CHANNEL MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SJ222-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel MOS FET |
| 2SJ223L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-251VAR |
| 2SJ223S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252VAR |
| 2SJ225 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications |
| 2SJ226 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Very High-Speed Switching Applications |
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