參數資料
型號： 2SD2655
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS)
中文描述： 東芝晶體管npn型硅外延型（厘工序）
文件頁數： 3/6頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： 2SD2655
2SD2655
Rev.1, Jun. 2001, page 3 of 6
0
50
100
150
200
C
Maximum Collector Dissipation Curve
0.6
10
100
1
0
0.8
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
C
C
Typical transfer Characteristics
0.2
0.4
1.0
0
1.2
0.8
2.0
C
0
2
4
6
C
C
Typical Output Characteristics (1)
Ambient Temperature Ta (
°
C)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
0.4
1.6
8
1200
1000
800
400
200
10
Pulse
I
B
= 350
μ
A
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
Typical Output Characteristics (2)
Pulse
I
B
= 1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
1000
V = 2V
Pulse
200
100
500
400
300
200
100
When using alumina ceramic board
S = 25 mm x 60 mm, t = 0.7 mm
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PDF描述
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2SD2657KT146 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2657TL 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 30V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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