參數(shù)資料
型號： 2SD2614
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Medium Power Transistor(中等功率晶體管)
中文描述： 中等功率晶體管（中等功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SD2614
2SD2614
Transistors
Medium Power Transistor
(Motor, Relay drive)
(60
±
10V, 5A)
2SD2614
!
Features
1) Built-in zener diode between collector and base.
2) Strong protection against reverse surges due to
"L" loads.
3) Built-in resistor between base and emitter.
4) Built-in damper diode.
!
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Single pulse Pw = 10ms
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
60±10
60±10
6
5
10
2
25
*
150
55~+150
Unit
V
V
V
A (DC)
A (Pulse)
W
W (Tc = 25
°
C)
°
C
°
C
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : TO-220FN
(3) Emitter(Source)
(2) Collector(Drain)
0.75
0.8
2.54
(3)
(1)
(3)
(2)
(1)
2.54
(2)
5
8
1
1
1
1.3
1.2
10.0
3.2
φ
2.6
4.5
2.8
!
Packaging specifications and h
FE
Type
Package
h
FE
Code
Basic ordering unit (pieces)
2SD2614
TO-220FN
2k~30k
-
500
!
Circuit diagram
R
2
R
1
E
B
C
C
B
E
: Emitter
: Base
: Collector
R
1
3.5k
R
2
300
!
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Parameter
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
DC current transfer ratio
Output capacitance
*
Measured using pulse current.
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
h
FE
Cob
Min.
50
50
-
-
-
2000
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
75
Max.
70
70
10
3
1.5
30000
-
Unit
V
V
μ
A
mA
V
-
pF
Conditions
*
I
C
= 50
μ
A
I
C
= 5mA
V
CB
= 40V
V
EB
= 5V
I
C
/I
B
= 2A/2mA
V
CE
/I
C
= 3V/2A
V
CB
= 10V , I
E
= 0A , f = 1MHz
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PDF描述
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2SD2618 Power Transistor(功率晶體管)
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2SD2651 Four Wall Header; No. of Contacts:20; Pitch Spacing:0.1"; No. of Rows:2; Gender:Header; Body Material:Glass-filled Polyester; Contact Plating:Nickel; Leaded Process Compatible:No; Mounting Type:Through Hole RoHS Compliant: No
2SD2652 General purpose amplification (12V, 1.5A)
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參數(shù)描述
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2SD2620G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2620J0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD262100L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSS MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2621G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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