參數(shù)資料
型號： 2SD2616
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor(功率晶體管)
中文描述： 功率晶體管（功率晶體管）
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SD2616
2SD2616
Transisitors
Power Transistor (100V, 5A)
2SD2616
!
Features
1) Low saturation voltage, typically V
CE(sat)
= -0.3V at I
C
/ I
B
=3A / 0.3A.
2) Excellent h
FE
current characteristics.
3) Pc=30W. (Tc=25
°
C)
!
Absolute maximum ratings
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
C
Tj
Tstg
Limits
100
100
5
5
10
2
30
150
-55~+150
Unit
V
V
V
A(DC)
A(Pulse)
W
W(Tc=25C)
C
C
*
*
Single pulse, Pw=100ms
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
!
Packaging specifications and Hfe
Type
Package
h
FE
Code
2SD2616
TO-220FN
E
-
500
Basic ordering unit (pieces)
!
Electrical characteristics
(Ta=25
°
C)
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
Min.
100
100
5
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
0.3
-
Max.
-
-
-
10
10
1.0
1.5
Unit
V
V
V
μ
A
μ
A
V
V
Conditions
h
FE
f
T
Cob
100
-
-
-
8
100
200
-
-
*
*
*
-
MHz
pF
I
C
=50
μ
A
I
C
=1mA
I
E
=50
μ
A
V
CB
=100V
V
EB
=5V
I
C
/I
B
=3A/0.3A
I
C
/I
B
=3A/0.3A
V
CE
/I
C
=5V/1A
V
CE
=5V , I
E
=-0.5A , f=5MHz
V
CB
=10V , I
E
=0A , f=1MHz
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
DC current
transfer ratio
Transition frequency
Output capacitance
*
Measured using pulse current.
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PDF描述
2SD2618 Power Transistor(功率晶體管)
2SD2650 Color TV Horizontal Deflection Output Applications
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參數(shù)描述
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2SD2620G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2620J0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD262100L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSS MINI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2621G0L 功能描述:TRANS NPN 100VCEO 20MA SSSMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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