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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2263 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SD2263 |
2SD2263
3
0
200
150
100
50
Ambient Temperature Ta (
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
0.8
0.6
0.4
0.2
Area of Safe Operation
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
3
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
PW=1 m
1m
DCOpeaion
(T
C
=25
°
i
C
(peak)
I
C
(max)
Ta = 25
°
C, 1 Shot Pulse
Typical Output Characteristics
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
2
4
6
8
10
C
C
Collector to Emitter Voltage V
CE
(V)
I
B
= 0, Ta = 25
°
C
0.2 mA
PW = 0.5 W
1.8
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
2.0
1.6
Typical Transfer Characteristics
C
C
Base to Emitter Voltage V
BE
(V)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
CE
= 2 V
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PDF描述 |
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