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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SD2263 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Epitaxial |
| 中文描述： | npn型硅外延 |
| 文件頁數(shù)： | 2/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 33K |
| 代理商： | 2SD2263 |
2SD2263
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Collector to base voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
i
C(peak)
I
D
P
C
Tj
25
V
Collector to emitter voltage
25
V
Emitter to base voltage
6
V
Collector current
0.5
A
Collector peak current
1.0
A
E to C diode current
0.5
A
Collector power dissipation
0.5
W
Junction temperature
150
°
C
°
C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Collector to base breakdown
voltage
V
(BR)CBO
25
—
—
V
I
C
= 10
μ
A, I
E
= 0
Collector to emitter breakdown
voltage
V
(BR)CEO
25
—
35
V
I
C
= 1 mA, R
BE
=
∞
Collector to emitter sustaining
voltage
V
CEO (sus)
26
—
36
V
I
= 0.5 A, R
BE
=
∞
,
L = 20 mH
Emitter to base breakdown
voltage
V
(BR)EBO
6
—
—
V
I
E
= 10
μ
A, I
C
= 0
Collector cutoff current
I
CBO
I
CEO
I
EBO
h
FE1
h
FE2
V
CE(sat)
—
—
0.2
μ
A
μ
A
μ
A
V
CB
= 20 V, I
E
= 0
V
CE
= 20 V, R
BE
=
∞
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
V
CE
= 2 V, I
C
= 50 mA*
1
V
CE
= 2 V, I
C
= 0.5 A*
1
I
C
= 0.5 A*
1
, I
B
= 50 mA
—
—
0.5
Emitter cutoff current
—
—
0.2
DC current transfer ratio
100
—
500
50
—
—
Collector to emitter saturation
voltage
—
—
0.5
V
E to C diode forward voltage
Note:
1. Pulse test
V
D
—
—
1.2
V
I
E
= 0.5 A*
1
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