參數(shù)資料
型號： 2SD2211N
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 160V五（巴西）總裁| 1.5AI（丙）|采用SOT - 89
文件頁數(shù)： 9/9頁
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代理商： 2SD2211N
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PDF描述
2SD2211P TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89
2SD1909 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 6A I(C) | SOT-186
2SD1912Q Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1912R TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
2SD1912S Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SD2211P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89
2SD2211Q 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89
2SD2211T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2211T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2212 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A)
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