參數(shù)資料
型號(hào): 2SD2211P
英文描述: TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89
中文描述: 晶體管|晶體管|叩| 160V五(巴西)總裁| 1.5AI(丙)|采用SOT - 89
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大小: 768K
代理商: 2SD2211P
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PDF描述
2SD1909 TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 6A I(C) | SOT-186
2SD1912Q Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SD1912R TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB
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參數(shù)描述
2SD2211Q 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89
2SD2211T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2211T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SD2212 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A)
2SD2212T100 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel