型號(hào): | 2SD2211P |
英文描述: | TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89 |
中文描述: | 晶體管|晶體管|叩| 160V五(巴西)總裁| 1.5AI(丙)|采用SOT - 89 |
文件頁(yè)數(shù): | 1/9頁(yè) |
文件大小: | 768K |
代理商: | 2SD2211P |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SD1909 | TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 6A I(C) | SOT-186 |
2SD1912Q | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SD1912R | TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
2SD1912S | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
2SD1915 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SD2211Q | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89 |
2SD2211T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2211T100R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR NPN 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SD2212 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Medium Power Transistor(Motor, Relay drive) (60±10V, 2A) |
2SD2212T100 | 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL NPN 60V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |