參數(shù)資料
型號： 2SD2137A
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Silicon PNP epitaxial planar type(For power amplification)
中文描述： 3 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, MT-4-A1, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 54K
代理商： 2SD2137A
2
Power Transistors
2SD2137, 2SD2137A
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
I
C
— V
BE
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
C
ob
— V
CB
t
on
, t
stg
, t
f
— I
C
Area of safe operation (ASO)
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
20
15
5
10
(1) T
=Ta
(2) Without heat sink
(P
C
=2.0W)
(1)
(2)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
6
5
4
3
2
1
T
C
=25C
90mA
70mA
50mA
30mA
20mA
10mA
I
B
=100mA
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
I
C
/I
B
=8
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0
Base to emitter voltage V
BE
(V)
2.0
1.6
0.4
1.2
0.8
0
6
5
4
3
2
1
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
CE
=4V
25C
–25C
T
C
=100C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
1000
100
10
3
30
300
V
=5V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
3
10
30
100
1
1000
100
10
3
30
300
I
=0
f=1MHz
T
C
=25C
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
0
4
1
3
2
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Pulsed t
=1ms
Duty cycle=1%
I
C
/I
B
=10 (I
B1
=–I
B2
)
V
CC
=50V
T
C
=25C
t
stg
t
f
t
on
Collector current I
C
(A)
S
o
,
s
,
f
μ
s
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
DC
t=1ms
2
2
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
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PDF描述
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2SD2139 Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-current amplification ratio, power amplification)
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參數(shù)描述
2SD2137AO 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2137AP 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
2SD2137APA 功能描述:TRANS NPN LF 80VCEO 3A MT-4 RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SD2137APQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-126VAR
2SD2137AQ 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-221VAR
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