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2SD1909	TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| SOT-186
2SD1912Q	Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset

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2SD1996T

TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP

2SD2211N

TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SOT-89

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2SD2000	制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 80V 4A 35W BCE
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2SD2000O	制造商:未知廠家制造商全稱(chēng):未知廠家功能描述:TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-127VAR

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2SD1996-S

制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR

2SD200

制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:XISTOR

2SD2000

制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 80V 4A 35W BCE

2SD20000P

功能描述:TRANS NPN LF 60VCEO 4A TO-220F RoHS:是類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236）包裝:Digi-Reel® 其它名稱(chēng):MMBT489LT1GOSDKR

2SD2000O

制造商:未知廠家制造商全稱(chēng):未知廠家功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 4A I(C) | TO-127VAR

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中文描述：	晶體管\|晶體管\|叩\| 20V的五（巴西）總裁\| 500mA的一（c）\|園區(qū)
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