參數(shù)資料
型號: 2SD1272
廠商: PANASONIC CORP
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Silicon NPN triple diffusion planar type(For high-speed switching and high current amplification ratio)
中文描述: 2.5 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝: ROHS COMPLIANT, SC-67, TO-220F-A1, FULL PACK-3
文件頁數(shù): 2/2頁
文件大?。?/td> 45K
代理商: 2SD1272
2
Power Transistors
2SD1272
P
C
— Ta
I
C
— V
CE
V
CE(sat)
— I
C
V
BE(sat)
— I
C
h
FE
— I
C
f
T
— I
C
Area of safe operation (ASO)
R
th(t)
— t
0
160
40
120
80
140
20
100
60
0
50
40
30
20
10
(1) T
=Ta
(2) With a 100
×
100
×
2mm
Al heat sink
(3) With a 50
×
50
×
2mm
Al heat sink
(4) Without heat sink
(P
C
=2W)
(1)
(2)
(3)
(4)
Ambient temperature Ta (C)
C
C
0
12
10
8
2
6
4
0
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
T
C
=25C
I
B
=400
μ
A
350
μ
A
300
μ
A
250
μ
A
200
μ
A
150
μ
A
100
μ
A
50
μ
A
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=25
T
C
=100C
25C
–25C
C
C
0.01
3
1
0.1
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
I
C
/I
B
=25
25C
–25C
T
C
=100C
B
B
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
CE
=4V
T
C
=100C
25C
–25C
F
F
0.01
0.1
1
10
0.03
Collector current I
C
(A)
0.3
3
1
3
10
30
100
300
1000
3000
10000
V
=4V
f=10MHz
T
C
=25C
T
T
1
10
100
1000
3
30
300
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
Non repetitive pulse
T
C
=25C
I
CP
I
C
10ms
t=1ms
DC
Collector to emitter voltage V
CE
(V)
C
C
10
–4
10
10
–3
10
–1
10
–2
1
10
3
10
2
10
4
10
–2
10
–1
1
10
10
2
(1)
(2)
(1) Without heat sink
(2) With a 100
×
100
×
2mm Al heat sink
Time t (s)
T
t
(
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PDF描述
2SD1273 Silicon NPN triple diffusion planar type
2SD1273A Silicon NPN triple diffusion planar type
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參數(shù)描述
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2SD1272P 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-186
2SD1272Q 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 150V V(BR)CEO | 1A I(C) | SOT-186
2SD1273 制造商:Distributed By MCM 功能描述:SUB ONLY MATSUSHITA TRANSISTOR TO-220FA 80V 3A 40W BCE
2SD12732SD1273A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SD1273 2SD1273A - Power Transistor