參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC6076
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進(jìn)程）
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 179K
代理商： 2SC6076
2SC6076
2006-11-16
4
0.001
0.1
100
1
10
1
10
0.1
VCEO MAX.
10 ms*
1 ms*
100 ms*
0.01
0.01
Collector
emitter voltage V
CE
(V)
C
C
Safe Operating Area
* Single nonrepetitive pulse
Tc
=
25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
IC max. (continuous)
IC max. (pulsed)*
DC operation
Tc=25
℃
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
T
t
℃
/
Tc
=
25°C (infinite heat sink)
Curves should be applied in thermal limited area.
(single nonrepetitive pulse)
100
1
0.001
10
0.01
0.1
1
10
100
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC6077 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6078 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6079 Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6087 Silicon NPN Epitaxial Type
2SC668SP 2SC668SP
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC6076(TE16L1,NQ) 制造商:Toshiba 功能描述:Cut Tape 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Transistor NPN 80V 3A hfe180-450 0.4us
2SC6076(TE16L1,NV) 功能描述:TRANS NPN 80V 3A PW MOLD 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 500mA，2V 功率 - 最大值:10W 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:PW-MOLD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
2SC6077 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6078 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6078(TP,F) 制造商:Toshiba 功能描述:NPN Cut Tape
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*