參數(shù)資料
型號： 2SC6076
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
中文描述： npn型硅外延型（厘進程）
文件頁數(shù)： 3/5頁
文件大?。?/td> 179K
代理商： 2SC6076
2SC6076
2006-11-16
3
VCE
=
2V
10
5
Tc
=
100°C
55
25
Tc
=
100°C
55
25
0
0.4
0.8
1.2
1.6
0
1
2
3
Tc
=
100
℃
25
55
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
I
C
– V
CE
C
C
Base-emitter voltage V
BE
(V)
I
C
– V
BE
C
C
Collector current I
C
(A)
h
FE
– I
C
D
F
Collector current I
C
(A)
V
CE (sat)
– I
C
C
V
C
(
(
Collector current I
C
(A)
f
T
– I
C
T
T
Collector current I
C
(A)
V
BE
(sat)
– I
C
B
V
B
(
10000
1
0.001
10
100
1000
0.01
0.1
1
10
Common emitter
VCE
=
2 V
Pulse test
0.001
0.01
0.1
10
1000
10
100
1
1
Common emitter
Tc
=
25°C
Pulse test
0.001
0.01
0.1
1
10
10
1
0.1
Common emitter
IC/IB
=
10
Pulse test
IB
=
1 mA
200
100
20
5
0
1
2
3
4
5
0
Common emitter
Tc
=
25°C
Pulse test
1
2
3
4
2
10
1
0.1
0.01
Common emitter
VCE
=
2 V
Pulse test
Common emitter
IC/IB
=
10
Pulse test
60
300
Tc
=
55°C
100
25
0.001
0.01
0.1
1
10
0.001
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PDF描述
2SC6077 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6078 Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
2SC6079 Silicon NPN Epitaxial Type
2SC6087 Silicon NPN Epitaxial Type
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2SC6077 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
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