參數(shù)資料
型號(hào)： 2SC5706TP
英文描述： TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-251VAR
中文描述： 晶體管|晶體管|叩| 50V五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至251VAR
文件頁(yè)數(shù)： 2/5頁(yè)
文件大小： 42K
代理商： 2SC5706TP
2SA2039 / 2SC5706
No.6912-2/5
Specifications
Note*( ) : 2SA2039
Absolute Maximum Ratings
at Ta=25
°
C
Parameter
Symbol
VCBO
VCES
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
Conditions
Ratings
Unit
V
V
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-to-Base Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Collector-to-Emitter Voltage
Emitter-to-Base Voltage
Collector Current
Collector Current (Pulse)
Base Current
(--50)80
(--50)80
(--)50
(--)6
(--)5
(--)7.5
(--)1.2
Collector Dissipation
PC
0.8
15
150
Tc=25
°
C
Junction Temperature
Storage Temperature
Tj
Tstg
--55 to +150
Electrical Characteristics
at Ta=25
°
C
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Collector Cutoff Current
Emitter Cutoff Current
DC Current Gain
Gain-Bandwidth Product
Output Capacitance
ICBO
IEBO
hFE
fT
Cob
VCB=(--)40V, IE=0
VEB=(--)4V, IC=0
VCE=(--)2V, IC=(--)500mA
VCE=(--)10V, IC=(--)500mA
VCB=(--)10V, f=1MHz
IC=(--)1A, IB=(--)50mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)2A, IB=(--)100mA
IC=(--)10
μ
A, IE=0
IC=(--)100
μ
A, RBE=0
IC=(--)1mA, RBE=
∞
IE=(--)10
μ
A, IC=0
See specified test circuit.
See specified test circuit.
See specified test circuit.
(--)1
(--)1
560
μ
A
μ
A
200
(360)400
(24)15
(
--
115)90
(
--
255)160
(--)0.89
MHz
pF
mV
mV
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
(
--
195)135
(
--
430)240
(--)1.2
Base-to-Emitter Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
VBE(sat)
V(BR)CBO
V(BR)CES
V(BR)CEO
V(BR)EBO
ton
tstg
tf
(--50)80
(--50)80
(--)50
(--)6
(30)35
(230)300
(15)20
Swicthing Time Test Circuit
VR10
25
VCC=25V
VBE= --5V
10IB1= --10IB2= IC=1A
For PNP, the polarity is reversed.
+
+
50
INPUT
OUTPUT
RB
100
μ
F
470
μ
F
PW=20
μ
s
D.C.
≤
1%
IB1
IB2
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PDF描述
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2SC5707-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5707-TL-E 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 8A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SC5712(TE12L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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