參數(shù)資料
型號(hào): 2SC5012-T2
廠商: NEC Corp.
英文描述: HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
中文描述: 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管4個(gè)引腳超小型模具
文件頁(yè)數(shù): 4/7頁(yè)
文件大小: 50K
代理商: 2SC5012-T2
2SC5012
4
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
N
I
C
- Collector Current - mA
MAXIMUM AVAILABLE GAIN/INSERTION
POWER GAIN vs. FREQUENCY
M
|
2
|
2
0.1
f - Frequency - GHz
5
4
1
3
0
1
2
5
10
50
V
CE
= 8 V
f = 1 GHz
50
0
10
0.5
1.0
5.0
V
CE
= 8 V
I
C
= 20 mA
20
30
40
MAG
FEED-BACK CAPACITANCE vs.
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE
C
r
V
CB
- Collector to Base Voltage - V
2.0
1.0
1
0.5
0.1
0.2
5
10
20
50
f = 1 MHz
2
2
20
|S
21e
|
2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC5014 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD
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參數(shù)描述
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2SC5013-T1 制造商:RNS 功能描述:
2SC5013-T1-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-343 制造商:cel 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.8dB @ 2GHz 增益:9.5dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-82A,SOT-343 供應(yīng)商器件封裝:SOT-343 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000