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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC5014-T2 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR 4 PINS SUPER MINI MOLD |
| 中文描述： | 高頻低噪聲放大器NPN硅外延晶體管4個引腳超小型模具 |
| 文件頁數(shù)： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | 2SC5014-T2 |
1993
DATA SHEET
SILICON TRANSISTOR
2SC5014
Document No. P10393EJ2V0DS00 (2nd edition)
(Previous No. TD-2414)
Date Published August 1995 P
Printed in Japan
HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
4 PINS SUPER MINI MOLD
FEATURES
Small Package
High Gain Bandwidth Product (f
T
= 12 GHz TYP.)
Low Noise, High Gain
Low Voltage Operation
ORDERING INFORMATION
PART
NUMBER
QUANTITY
PACKING STYLE
2SC5014-T1
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin3 (Base), Pin4 (Emitter) face to
perforation side of the tape.
2SC5014-T2
3 Kpcs/Reel.
Embossed tape 8 mm wide.
Pin1 (Collector), Pin2 (Emitter) face
to perforation side of the tape.
*
Please contact with responsible NEC person, if you require
evaluation sample. Unit sample quantity shall be 50 pcs.
(Part No.: 2SC5014)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C)
Collector to Base Voltage
Collector to Emitter Voltage
Emitter to Base Voltage
Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
stg
9
6
2
V
V
V
10
60
150
mA
mW
C
C
–65 to +150
PACKAGE DIMENSIONS
in millimeters
Caution; Electrostatic Sensitive Device.
2.1 ± 0.2
1.25 ± 0.1
2
(
0
0
2
1
3
4
+
–
+
0
–
+
–
+
–
(
0
0
+
–
1. Collector
2. Emitter
3. Base
4. Emitter
PIN CONNECTIONS
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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