型號: | 2SC4134 |
廠商: | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
英文描述: | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors for High-Voltage Switching Applications(用于高電壓轉換應用的NPN硅外延平面型晶體管) |
中文描述: | 瑞展硅晶體管的高壓開關應用(用于高電壓轉換應用的npn型硅外延平面型晶體管) |
文件頁數(shù): | 4/4頁 |
文件大?。?/td> | 155K |
代理商: | 2SC4134 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SC4139 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(High Voltage And High Speed Switching Transistor)(硅NPN三倍擴散平面晶體管(高壓和高速開關晶體管)) |
2SC4140 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(High Voltage And High Speed Switching Transistor)(硅NPN三倍擴散平面晶體管(高壓和高速開關晶體管)) |
2SC4153 | Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor( Switching Transistor)(硅NPN三倍擴散平面晶體管(開關晶體管)) |
2SC4154 | FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE |
2SC4198 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SC4134R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
2SC4134S | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |
2SC4134S-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4134S-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP NPN 1A 100V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SC4134T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-252 |