參數(shù)資料
型號: 2SC3585
廠商: NEC Corp.
英文描述: MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
中文描述: 微波低噪聲放大器NPN硅外延TRANSISOR
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 103K
代理商: 2SC3585
4
2SC3585
S-PARAMETER
A
N
G
L
E
F
E
F
L
E
C
T
I
O
N
O
E
F
F
C
I
E
N
T
N
E
G
R
E
E
S
1
0
2
3
4
50
00
60
70
80
90
100
110
120
130
10
10
1
1
0
1
0
1
1
0
1
0
9
8
0
7
0
6
5
0
4
0
3
2
1
0
1
08
02
03
02
032
018
0.34
0.16
0.14
0.38
0.12
0.40
0.10
042
008
044
P
O
IV
E
C
T
N
E
CO
M
P
ON
EN
T
006
04
00
02
019
031
017
033
0.15
0.35
0.13
0.37
0.11
0.09
0.41
007
043
00
03
02
04
07
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
O
W
A
R
D
O
A
D
W
A
V
E
L
E
N
G
T
H
S
O
W
A
R
D
E
N
E
R
A
T
O
R
20
50
10
6.0
4.0
30
18
1
1
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
(
J
––
Z
O
)
0.2
0.4
0.6
08
10
1
0
0
06
03
0.2
0.1
0.2
10
1
08
0.6
0.4
0
0
04
05
5
1
5
3
4
1
2
1
1
0
1
1
REACTANCE COMPONENT
R
––––
Z
O
)
N
G
A
I
E
A
T
N
C
O
P
N
N
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
1
1
1
1
2
3
4
5
1
S
22e
2
0
(
J
O
)
20
0
0
0
0
S
11e
, S
22e
-FREQUENCY
S
21e
-FREQUENCY
90
°
0
°
30
°
30
°
60
°
60
°
180
°
150
°
150
°
120
°
120
°
90
°
4
0
8
12
16
20
S
21e
0.2 GHz
0.2 GHz
1.0 GHz
1.0 GHz
2.0 GHz
2.0 GHz
I
C
= 3 mA
I
C
= 10 mA
90
°
0
°
30
°
30
°
60
°
60
°
180
°
150
°
150
°
120
°
120
°
90
°
0.04
0
0.08
0.12
0.16 0.20
S
12e
2.0 GHz
I
C
= 10 mA
I
C
= 3 mA
S
12e
-FREQUENCY
V
CE
= 6 V
200 MHz Step
CONDITION
V
CE
= 6 V
CONDITION
V
CE
= 6 V
CONDITION
2.0 GHz
2.0 GHz
0.2 GHz
0.2 GHz
I
C
= 3 mA
S
11e
S
22e
I
C
= 10 mA
0.2 GHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SC3585Q SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3585R TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-346
2SC3585R43 SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SC3585R44 TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 35MA I(C) | SOT-346
2SC3585R45 SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SC3585-A 功能描述:RF TRANSISTOR NPN SOT-23 制造商:cel 系列:- 包裝:剪帶 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):10V 頻率 - 躍遷:10GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB @ 2GHz 增益:10dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,6V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:- 標準包裝:1
2SC3585-T1B-A 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISOR
2SC3585-T1B-A(R) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:NPN
2SC3585-T1B-A-S 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SC3588-AZ(L) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Bulk