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參數(shù)資料
| 型號： | 2SC2899 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon NPN Triple Diffused(三倍擴散NPN晶體管) |
| 中文描述： | 硅npn型三重擴散（三倍擴散npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 44K |
| 代理商： | 2SC2899 |
2SC2899
4
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
100
200
300
400
500
Reverse Bias Area of Safe Operation
350 V, 1 A
450 V, 0.1 A
400 V, 0.5 A
I
B2
= –0.1 A
300
400
600
500
Base to emitter resistance R
BE
(
)
C
C
100
1 k
10 k
100 k
1 M
Collector to Emitter Voltage
vs. Base to Emitter Resistance
I
C
= 1 mA
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
1
2
3
4
5
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
T
C
= 25
°
C
I
B
= 0
10
20
30
40
50
5 mA
Base to emitter voltage V
BE
(V)
C
C
0
Typical Transfer Characteristics
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
C
= 25
°
C
V
CE
= 5 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2908 | POWER TRANSISTORS(5.0A,100V,50W) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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