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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SC2148 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 中文描述： | 微波低噪聲放大器NPN硅外延晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/8頁(yè) |
| 文件大小： | 52K |
| 代理商： | 2SC2148 |
2SC2148, 2SC2149
4
GAIN BANDWIDTH PRODUCT vs.
COLLECTOR CURRENT
7
3
5
1
0.5
0.1
0.3
0.5
1
5
10
50
I
C
Collector Current
mA
f
T
G
G
INSERTION GAIN vs.
COLLECTOR CURRENT
15
10
5
0
0.5
1
5
10
50
I
C
Collector Current
mA
V
CE
= 10 V
f = 1.0 GHz
S
2
2
I
d
COLLECTOR AND EMITTER CAPACITANCE vs.
REVERSE VOLTAGE
3
2
1
0.5
0.3
0
0.5
V
CB
Collector to Base Voltage
V
V
EB
Emitter to Base Voltage
V
1
2
5
10
20 30
f = 1.0 MHz
V
CE
= 10 V
C
o
C
p
C
i
E
p
NOISE FIGURE vs.
COLLECTOR CURRENT
7
6
5
1
2
3
4
0
0.5
1
5
10
50
I
C
Collector Current
mA
V
CE
= 10 V
f = 500 MHz
N
N
d
untuned (50
)
tuned
C
ob
C
ib
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SC2149 | MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR |
| 2SC2150 | SC70/µDFN, Single/Dual Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits |
| 2SC2181 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 18V V(BR)CEO | 10A I(C) | SOT-123VAR |
| 2SC2194A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-202 |
| 2SC2790A | TRANSISTOR | BJT | NPN | 800V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SC2149 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SILICON TRANSISTR |
| 2SC2150 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 11V V(BR)CEO | 30MA I(C) | SOT-173 |
| 2SC2151 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
| 2SC2166 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:Silicon NPN Transistor Final RF Power Output |
| 2SC2167 | 制造商:SAVANTIC 制造商全稱:Savantic, Inc. 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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