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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB772S-T92-B |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 104K |
| 代理商： | 2SB772S-T92-B |
2SB772S
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R201-023.B
3
■
T Y PICAL CHARACT ERICS
Fig.1 Static characteristics
-Collector-Emitter voltage (V)
-
0
4
8
12
16
20
0
0.4
0.8
1.2
1.6
Case Temperature, Tc (
℃
)
-I
B
=1mA
-I
B
=2mA
-I
B
=3mA
-I
B
=4mA
-I
B
=5mA
-I
B
=6mA
-I
B
=7mA
-I
B
=8mA
-I
B
=9mA
Fig.2 Derating curve of safe
operating areas
-
200
150
100
50
0
-50
0
50
100
150
Sblmted
Dsipto ime
Case Temperature, Tc (
℃
)
200
150
100
50
0
-50
Fig.3 Power Derating
P
0
4
8
12
Fig.4 Collector Output
capacitance
-Collector-Base Voltage(v)
O
100
10-1
10-2
10-3
101
102
103
100
I
E
=0
f=1MHz
Fig.5 Current gain-
bandwidth product
C
b
T
(
101
102
103
100
V
CE
=5V
Collector-Emitter Voltage
-
Fig.6 Safe Operating Area
Ic(max),DC
Ic(max),Pulse
10mS
1mS
01m
Collector current, Ic (A)
10-2
10-1
100
101
10-2
10-1
100
101
100
101
102
I
B
=8mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SB772S-T92-K | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 2SB772S-TO92 | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 2SB772S | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB772 | MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB772 | PNP SILICON POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB772S-T92-K | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 2SB772S-TO92 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 2SB772S-X-AA3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB772S-X-AB3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
| 2SB772S-X-T92-B | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:MEDIUM POWER LOW VOLTAGE TRANSISTOR |
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