參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1578GB1
廠商： NEC Corp.
英文描述： 3-Pin, Ultra-Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
中文描述： 晶體管|晶體管|進(jìn)步黨| 60V的五（巴西）總裁| 5A條一（c）|至243VAR
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
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代理商： 2SB1578GB1
Data Sheet D16147EJ1V0DS
2
2SB1578
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector cutoff current
I
CBO
V
CB
=
50 V, I
E
= 0
10
μ
A
Emitter cutoff current
I
EBO
V
EB
=
6.0 V, I
C
= 0
10
μ
A
DC current gain
h
FE1
V
CE
=
1.0 V, I
C
=
0.1 A
60
220
DC current gain
h
FE2
V
CE
=
1.0 V, I
C
=
2.0 A
100
200
400
DC current gain
h
FE3
V
CE
=
2.0 V, I
C
=
5.0 A
50
150
Collector saturation voltage
V
CE(sat)
I
C
=
2.0 A, I
B
=
0.2 A
180
300
mV
Base saturation voltage
V
BE(sat)
I
C
=
2.0 A, I
B
=
0.2 A
0.9
1.2
V
Turn-on time
t
on
0.6
μ
s
Storage time
t
stg
0.55
μ
s
Fall time
t
f
I
C
=
2.0 A, V
CC
=
10 V
I
B1
=
I
B2
=
0.2 A
R
L
= 5.0
0.05
μ
s
h
FE
CLASSIFICATION
Marking
GB1
GB2
GB3
h
FE2
100 to 200
160 to 320
200 to 400
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1578GB2 TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-243VAR
2SB1578GB3 3-Pin, Ultra-Low-Voltage, Low-Power µP Reset Circuits
2SB1624 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
2SB1625 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
2SB1626 Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor（Darlington）(硅PNP外延平面晶體管（達(dá)林頓）)
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參數(shù)描述
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2SB1578-T1-AZ-GB2 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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2SB1580T100 功能描述:達(dá)林頓晶體管 DARL PNP 100V 2A RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
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