參數(shù)資料
型號(hào): 2SB1409S
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon PNP Epitaxial
中文描述: 硅外延進(jìn)步黨
文件頁(yè)數(shù): 5/7頁(yè)
文件大?。?/td> 35K
代理商: 2SB1409S
2SB1409(L)/(S)
5
3
10
30
100
300
Collector to base voltage V
CB
(V)
C
o
–1
–3
–10
–30
–100
Collector Output Capacitance vs.
Collector to Base Voltage
f
= 1 MHz
I
E
= 0
Ta = 25
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1412L-TN3-C-R HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2SB1412L-TN3-B-R HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2SB1412L-TN3-E-R HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2SB1412L-TN3-F-R HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2SB1412-TN3-B-R HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SB1412TL/Q 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:5000 mA, 20 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SB1412TLP 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLQ 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TLR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1412TRR 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP LOW VCE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2