參數(shù)資料
型號： 2SB1409
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon PNP Epitaxial
中文描述： 硅外延進(jìn)步黨
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 35K
代理商： 2SB1409
2SB1409(L)/(S)
3
0
Case Temperature T
C
(
°
C)
C
Maximum Collector Dissipation Curve
50
100
150
10
30
20
–0.01
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
–10
–3
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
–3
–10
–30
–100
–300
Area of Safe Operation
I
C
(max)
i
C
(peak)
PW =
10 ms
1m
DCOeao T
C
=2
°
C
Ta = 25
°
C
1 Shot Pulse
Collector to emitter Voltage V
CE
(V)
C
C
0
Typical Output Characteristics
–10
–20
–30
–40
–50
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
–1.0
I
B
= 0
T
C
= 25
°
C
P
C
= 18 W
–1 mA
–1.5
–2.5
–2
–3.5
–4.5
–3
–5
10
–0.01
30
100
300
1,000
Collector current I
C
(A)
D
F
–0.03
–0.1
–0.3
–1.0
DC Current Transfer Ratio vs.
Collector Current
V
CE
= –5 V
Ta
= 25
°
C
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PDF描述
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