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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1386-P-AB3-B-R |
| 廠商： | 友順科技股份有限公司 |
| 英文描述： | LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR |
| 中文描述： | 低頻PNP晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大小： | 208K |
| 代理商： | 2SB1386-P-AB3-B-R |
2SB1386
PNP SILICON TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
4 of 5
QW-R208-019,B
T Y PICAL CHARACTERICS (Cont.)
Collector Output Capacitance vs.
Collector-Base Voltage
C
100
50
20
10
-0.1 -0.2
Collector to Base Voltage, V
CB
(V)
200
500
1
2
5
10 20
50
5
Emitter Current, I
E
(mA)
Transetion Frequency vs. Emitter Current
1000
T
T
20
10
50 100
500
100
2
1
200
500
-0.5
-5
-1
-2
-20
-10
1000
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (2)
C
C
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=100
℃
Ic/I
B
=10
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (3)
C
C
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta= -25
℃
Ta=25
℃
Ic/I
B
=30
Ta=100
℃
Ta= -25
℃
Ta=25
℃
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (IV)
C
C
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m -5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta=100
℃
Ic/I
B
=40
Collector-Emitter Saturation Voltage vs.
Collector Current (V)
C
C
(
-0.2
-0.05
-0.1
-0.5
-0.02
-0.01
Collector Current, Ic(A)
-1
-2
-2m
-5m
-0.01-0.02-0.05 -0.1
-0.5-1 -2 -5 -10
-0.2
-5
Ta= -25
℃
Ta=25
℃
Ic/I
B
=50
Ta=100
℃
Ta= -25
℃
Ta=25
℃
200
1000
Vc
E
= -6V
Ta=25
℃
Ta=25
℃
f =1MHz
I
E
=0A
-50
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PDF描述 |
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