參數(shù)資料
型號(hào)： 2SB1386-Q-AB3-B-R
廠商： 友順科技股份有限公司
英文描述： LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
中文描述： 低頻PNP晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 208K
代理商： 2SB1386-Q-AB3-B-R
UNISONIC TECHNOLOGIES CO, LTD
2SB1386
LOW FREQUENCY PNP
T RANS IS T OR
PNP SILICON TRANSISTOR
www.unisonic.com.tw
Copyright 2005 Unisonic Technologies Co., Ltd
1 of 5
QW-R208-019,B
FEAT URES
* Excellent DC current gain characteristics
* Low V
CE(SAT)
V
CE(SAT)
= -0.35V (Typ)
(I
C
/I
B
= -4A/-0.1A)
SOT-89
1
*Pb-free plating product number: 2SB1386L
ORDERING INFORMAT ION
Order Number
Pin Assignment
1
2
B
C
Normal
Lead Free Plating
2SB1386L-x-AB3-F-R
Package
3
E
Packing
2SB1386-x-AB3-F-R
SOT-89
Tube
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SB1386-Q-AB3-C-R LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-Q-AB3-E-R LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-R-AB3-B-R LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
2SB1386-R-AB3-C-R LOW FREQUENCY PNP TRANSISTOR
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參數(shù)描述
2SB1386T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1386T100R 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 20V 5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1389 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SB1390(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SB1391(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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