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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SB1236A |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | Power Transistor (−160V , −1.5A) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/4頁(yè) |
| 文件大小： | 84K |
| 代理商： | 2SB1236A |
2SB1275 / 2SB1236A
Transistors
Rev.A
3/3
Fig.10 Safe operating area (2SB1275)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
C
C
10
5
2
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.001
0.002
0.5
0.2
0.1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ic Max. (Pulse
)
DC
Pw=10ms
100ms
TSingle
°
C
NONREPETITIVE
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| 2SB1236ATV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 160V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1236TV2Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 120V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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