參數(shù)資料
型號： 2SB1236A
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： Power Transistor (−160V , −1.5A)
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大小： 84K
代理商： 2SB1236A
2SB1275 / 2SB1236A
Transistors
z
Electrical characteristics curves
Rev.A
2/3
C
C
(
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
Fig.1 Ground emitter output characteristics
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
5
4
3
2
1
0
Ta
=
25
°
C
I
B
=
0mA
1mA
2mA
3mA
4mA
5mA
6mA
P
C
=
1W
10mA
9mA
7mA
8mA
BASE TO EMITTER VOLTAGE : V
BE
(V)
C
C
Fig.2
Ground emitter propagation characteristics
10
2
1
0.5
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
5
1.8
1.4
1.6
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
CE
=
5V
T
=
1
°
C
2
°
C
2
°
C
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.3 DC current gain vs. collector current ( )
20
50
100
200
500
1000
10
5
2
1
10
2
1
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
0.5
5
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
5
V
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
C
C
(
Fig.5 Collector-emitter saturation voltage
vs. collector current
10
10
2
1
5
0.2
0.1
0.5
0.02
0.01
0.05
2
1
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
0.5
5
Ta
=
25
°
C
I
C
/I
B
=
50
20
10
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
B
B
(
C
C
(
Fig.6
Collector-emitter saturation voltage
Base-emitter saturation voltage
vs. collector current
10
10
2
1
5
0.2
0.1
0.5
0.02
0.01
0.05
2
1
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
0.5
5
Ta
=
100
°
C
Ta
=
25
°
C
25
°
C
25
°
C
25
°
C
100
°
C
I
C
/I
B
=
10
V
CE(sat)
V
BE(sat)
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
D
F
Fig.4 DC current gain vs. collector current ( )
20
50
100
200
500
1000
10
5
2
1
10
2
1
0.2
0.1
0.01
0.02
0.05
0.5
5
V
CE
=
10V
Ta
=
100
°
C
25
°
C
25
°
C
COLLECTOR TO BASE VOLTAGE : V
CB
(V)
C
o
(
Fig.8 Collector output capacitance vs.
collector-base voltage
20
50
100
200
500
1000
10
5
2
1
0.1
100
20
10
2
1
0.2
0.5
5
50
Ta
=
25
°
C
I
E
=
A
f
=
0
Fig.9 Safe operating area (2SB1236A)
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE : V
CE
(V)
C
C
10
5
2
1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
0.001
0.002
0.5
0.2
0.1
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ic Max. (Pulse
)
DC
Pw=10ms
100ms
TSingle
°
C
NONREPETITIVE
EMITTER CURRENT : I
E
(mA)
T
T
(
Fig.7 Resistance raito vs. emmiter current
20
50
100
200
500
1000
10
5
2
1
1
2
5
10
20
50
100
200
500
1000
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5
V
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