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參數(shù)資料
| 型號： | 2SB1202-S-TM3-T |
| 廠商： | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
| 中文描述： | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 封裝： | TO-251, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 118K |
| 代理商： | 2SB1202-S-TM3-T |
2SB1202
PNP PLANAR TRANSISTOR
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
3 of 5
QW-R217-005.B
T ES T CIRCUIT FOR NPN
(PNP: the polarity is reversed; Unit: resistance:
, capacitance: F)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SB1202T | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 2SB1202T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1202T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| 2SB1203S | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
| 2SB1203SE | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
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