型號: | 2SB1202-S-TM3-T |
廠商: | UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
中文描述: | 3 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
封裝: | TO-251, 3 PIN |
文件頁數: | 1/5頁 |
文件大小: | 118K |
代理商: | 2SB1202-S-TM3-T |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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2SB1202-S-TN3-K | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
2SB1202-S-TN3-R | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
2SB1202-S-TN3-T | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
2SB1202-T-T6C-K | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
2SB1202-T-T6C-R | HIGH CURRENT SWITCHING APPLICATION |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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2SB1202T | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
2SB1202T-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 3A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1202T-TL-E | 功能描述:兩極晶體管 - BJT LOW-SATURATION VOLTAGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1203S | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |
2SB1203SE | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述: |