參數資料
型號： 2SB1188R
廠商： Rohm CO.,LTD.
英文描述： MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
中文描述： 中功率晶體管（- 32V的，- 2A型）
文件頁數： 4/4頁
文件大?。?/td> 130K
代理商： 2SB1188R
218
Transistors
2SB1188 / 2SB1182 / 2SB1240 /
2SB822 / 2SB1277 / 2SB911M
相關PDF資料
PDF描述
2SB1240P MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
2SB1240Q MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
2SB1240R MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A)
2SB1182 Medium power Transistor(中等功率晶體管)
2SB911M Medium power Transistor(中等功率晶體管)
相關代理商/技術參數
參數描述
2SB1188-R 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Plastic-Encapsulate Transistors
2SB1188T100/R 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 32V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
2SB1188T100P 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1188T100Q 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 2A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2SB1188T100Q/R 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, MPT
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