型號: | 2SB1188R |
廠商: | Rohm CO.,LTD. |
英文描述: | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
中文描述: | 中功率晶體管(- 32V的,- 2A型) |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 130K |
代理商: | 2SB1188R |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
2SB1240P | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
2SB1240Q | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
2SB1240R | MEDIUM POWER TRANSISTOR(-32V, -2A) |
2SB1182 | Medium power Transistor(中等功率晶體管) |
2SB911M | Medium power Transistor(中等功率晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
2SB1188-R | 制造商:MCC 制造商全稱:Micro Commercial Components 功能描述:PNP Plastic-Encapsulate Transistors |
2SB1188T100/R | 制造商:Rohm Semiconductor 功能描述:Trans GP BJT PNP 32V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R |
2SB1188T100P | 功能描述:兩極晶體管 - BJT DVR PNP 32V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1188T100Q | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP 32V 2A SO-89 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
2SB1188T100Q/R | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:Transistor, PNP, Driver, -32V, -2A, MPT |