參數(shù)資料
型號(hào)： 2SA1122D
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： MPAK-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 23K
代理商： 2SA1122D
2SA1122
Silicon PNP Epitaxial
ADE-208-1009 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
Low frequency amplifier
Outline
1
2
3
1. Emitter
2. Base
3. Collector
MPAK
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SA1122C SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1122 SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1122B SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1150-Y 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
2SA1150-Y 800 mA, 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SA1123 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification)
2SA11230RA 功能描述:TRANS PNP 150VCEO 50MA TO-92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2SA1123R 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SA1123S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
2SA1123T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 150V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-92
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