參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7614M1
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 0.8 A, 250 V, 1.1 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-036AB
封裝： HERMETIC SEALED PACKAGE-14
文件頁(yè)數(shù)： 7/9頁(yè)
文件大?。?/td> 202K
代理商： 2N7614M1
www.irf.com
7
Pre-Irradiation
IRHLG77214, 2N7614M1
Fig 15. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 13. Maximum Safe Operating Area
Fig 14. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.1
1
10
100
1000
T
he
rm
al
R
es
po
ns
e
(
Z
th
JA
)
0.20
0.10
D = 0.50
0.02
0.01
0.05
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
P
t
DM
1
2
25
50
75
100
125
150
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
E
A
S
,S
in
gl
e
P
ul
se
A
va
la
nc
he
E
ne
rg
y
(m
J)
ID
TOP
0.80A
0.50A
BOTTOM
0.36A
1
10
100
1000
VDS , Drain-to-Source Voltage (V)
0.001
0.01
0.1
1
10
I D
,
D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
C
ur
re
nt
(A
)
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
1ms
10ms
OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on)
100
s
DC
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PDF描述
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2N7636-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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