參數(shù)資料
型號： 2N7614M1
元件分類： JFETs
英文描述： 0.8 A, 250 V, 1.1 ohm, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-036AB
封裝： HERMETIC SEALED PACKAGE-14
文件頁數(shù)： 5/9頁
文件大?。?/td> 202K
代理商： 2N7614M1
www.irf.com
5
Pre-Irradiation
IRHLG77214, 2N7614M1
Fig 8. Typical Threshold Voltage Vs
Temperature
Fig 7. Typical Drain-to-Source
Breakdown Voltage Vs Temperature
Fig 5. Typical On-Resistance Vs
Gate Voltage
Fig 6. Typical On-Resistance Vs
DrainCurrent
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
ID, Drain Current (A)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
R
D
S
(o
n)
,
D
ra
in
-t
o
-S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(
)
TJ = 25°C
TJ = 150°C
Vgs = 4.5V
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Temperature ( °C )
250
270
290
310
330
350
V
(B
R
)
D
S
,D
ra
in
-t
o-
S
ou
rc
e
B
re
ak
do
w
n
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 1.0mA
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Temperature ( °C )
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
G
S
(t
h)
G
at
e
th
re
sh
ol
d
V
ol
ta
ge
(V
)
ID = 50A
ID = 250A
ID = 1.0mA
ID = 150mA
2
4
6
8
10
12
VGS, Gate -to -Source Voltage (V)
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
R
D
S
(o
n)
,
D
ra
in
-t
o
-S
ou
rc
e
O
n
R
es
is
ta
nc
e
(
)
ID = 0.8A
TJ = 25°C
TJ = 150°C
相關PDF資料
PDF描述
2N7620M2 800 mA, 60 V, 4 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
2N7624U3 22 A, 60 V, 0.072 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2N779A 100 mA, 15 V, PNP, Ge, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N834 NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-18
2N851 200 mA, 12 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-50
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2N7622U2 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED LOGIC LEVEL POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-2)
2N7632UC 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:RADIATION HARDENED60V, Combination 1N-1P-CHANNELLOGIC LEVEL POWER MOSFET
2N7635-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N7636-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 4A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N7637-GA 功能描述:兩極晶體管 - BJT SiC High Temp SJT 650V 7A 225 Degree C RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*