參數(shù)資料
型號(hào)： 2N7002-AE3-R
廠商： 友順科技股份有限公司
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： 2N7002-AE3-R
2N7002
MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R206-037,B
5
T Y PICAL CHARACT ERICS (c ont.)
100
75
0
-25
1.1
1.05
1
-50
0.925
1
1.2
0.8
0.4
1
0.5
0.1
0.05
0.01
0.005
0.2
25
50
150
125
0.95
1.025
1.075
1.4
0.001
0.975
0.6
2
N
V
D
JUCTION TEMPERATURE, T
J
(°C)
Figure 9. Breakdown Voltage Varisation
with Temperature
I
D
= 250
μ
A
BODY DIODE FORWARD VOLTAGE, V
SD
(V)
Figure 10. Body Diode Forward Voltage Varisation
with Temperature
R
S
(
V
GS
=0V
T
J
=125
℃
25
℃
1
10
20
5
3
2
2
0.8
0.4
0
1.2
1.6
20
5
10
2
40
1
10
8
6
4
2
0
50
30
60
280mA
115mA
C
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE, V
DS
(V)
Figure 11. Capacitance Characteristics
V
GS
=0V
f=1MHz
C
rss
C
oss
C
iss
GATE CHARGE, Qg (nC)
Figure 12. Gate Charge Characteristics
G
G
(
I
D
= 500mA
V
DS
= 25V
60 80
10
20
5
2
0.5
0.05
0.1
0.01
1
0.005
30
2
3
DS(ON)
100
μ
s
1ms
1
D
D
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE, V
DS
(V)
Figure 13. Maximum Safe Operating Area
V
GS
=0V
SINGLE PULSE
T
A
=25
℃
300
0.001
10
1
t1, TIME (sec)
100
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.002
0.01
0.05
0.1
0.2
0.5
Figure 14. Transient Thermal Response Curve
N
T
Single Pulse
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
t1t2
T
×T
=P×R
θ
Duty Cycle, D=t1/t2
P (pk)
R
θ
JA (t)
=r (t)×R
θ
JA
R
θ
JA
=(See Datasheet)
10ms
R
Limt
1s
10s
DC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002L-AE3-R N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002CSM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002CSM N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）(N溝道增強(qiáng)型MOS晶體管（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）)
2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
2N7002-01 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2N7002AQ-13 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 115mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000
2N7002AQ-7 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級(jí)，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:180mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 115mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
2N7002BK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.35ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur
2N7002BK,215 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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