參數(shù)資料
型號： 2N7002-AE3-R
廠商： 友順科技股份有限公司
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： N溝道增強型場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大?。?/td> 157K
代理商： 2N7002-AE3-R
2N7002
MOSFET
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
www.unisonic.com.tw
QW-R206-037,B
4
T Y PICAL CHARACT ERICS
0
5
4
3
2
1
1.5
1
0.5
0
2
3.0V
2
1.6
1.2
0.8
0.4
V
GS
=4.0V
3
2.5
2
1.5
1
0
0.5
D
DRAIN - SOURCE VOLTAGE, V
DS
(V)
V
GS
=10V
4.0V
5.0V
6.0V
7.0V
8.0V
9.0V
Figure 3. On-Region Characteristics
N
–
S
O
–
R
D
DRAIN CURRENT, I
D
(A)
Figure 4. On-Resistance Varisation with Gate
Voltage and Drain Current
4.5V
5.0V
6.0V
7.0V
8.0V
9.0V
10V
100
75
0
-25
2
1.5
1
-50
0.5
1.6
1.2
0.8
0.4
V
GS
=10V
3
2.5
2
1.5
1
0
0.5
25
50
150
125
0.75
1.25
1.75
2
0
T
J
=125
℃
25
℃
N
O
D
JUCTION TEMPERATURE, T
J
(°C)
Figure 5. On-Resistance Varisation
with Temperature
V
GS
=10V
I
D
=500mA
N
O
D
DRAIN CURRENTI
D
(A)
Figure 6. On-Resistance Varisation with Drain
Current and Temperature
0
10
8
6
4
2
100
75
0
-25
-50
25
50
125
1.6
1.2
1.8
0.4
2
0
150
1.1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
D
D
GATE TO SOURCE VOLTAGE, V
GS
(V)
Figure 7. Transfer Characteristics
V
DS
=10V
25
℃
125
℃
N
T
t
JUCTION TEMPERATURE, T
J
(°C)
Figure 8. Gate Threshold Varisation
with Temperature
V
GS
= V
DS
I
D
= 1mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N7002L-AE3-R N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
2N7002CSM N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOS TRANSISTOR
2N7002CSM N-Channel Enhanced Mode MOS Transistor（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）(N溝道增強型MOS晶體管（Vdss：60V，Id：0.115A，Rds(on)：5Ω）)
2N7002 N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE MOSFET
2N7002-01 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N7002AK,215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:2N7002AK/SOT23/REELLP// 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:2N7002AK/SOT23/REELLP// - Tape and Reel
2N7002AQ-13 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 115mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:10,000
2N7002AQ-7 功能描述:MOSFET NCH 60V 180MA SOT23 制造商:diodes incorporated 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:180mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 115mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:23pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
2N7002BK 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFETN CH60V0.35ASOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET,N CH,60V,0.35A,SOT23, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Cur
2N7002BK,215 功能描述:MOSFET Single N-Channel 60V 300mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*