參數(shù)資料
型號： 2N6661
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓90V,夾斷電流0.9A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管)
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓90V的，夾斷電流到0.9A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管）
文件頁數(shù)： 4/4頁
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代理商： 2N6661
2N6661/VN88AFD
4
Siliconix
P-37655—Rev. B, 25-Jul-94
Typical Characteristics (25 C Unless Otherwise Noted) (Cont’d)
0.1
10 K
1.0
0.01
0.1
1.0
100
10
1 K
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
Single Pulse
Threshold Region
Capacitance
Normalized Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (2N6661)
Gate Charge
Load Condition Effects on Switching
N
T
t
1
– Square Wave Pulse Duration (sec)
I
D
– Drain Current (A)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
Q
g
– Total Gate Charge (pC)
–
I
D
C
–
V
G
t
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJC
= 20 C/W
3. T
JM
– T
C
= P
DM
Z
thJC(t)
t
1
t
2
t
1
Notes:
P
DM
t
2
125
100
75
0
0
10
50
50
25
20
30
40
C
oss
C
iss
C
rss
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
10
1
0.01
0.5
0.1
1.0
1.5
2.0
25 C
–55 C
125 C
V
GS
= 5 V
T
J
= 150 C
15.0
12.5
10.0
0
0
100
500
7.5
5.0
200
300
400
2.5
I
D
= 1.0 A
V
DS
= 45 V
72 V
0.1
1
2
100
10
1
V
DD
= 25 V
R
L
= 23
V
GS
= 0 to 10 V
I
D
= 1.0 A
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
0.05
0.02
0.01
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2N6661DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:DUAL N–CHANNEL ENHANCEMENT MODE
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