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參數(shù)資料
| 型號： | 2N6660 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistor(最小漏源擊穿電壓60V,夾斷電流1.1A的N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管) |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型MOSFET晶體管（最小漏源擊穿電壓60V的，夾斷電流1.1A的的N溝道增強(qiáng)型MOSFET的晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 88K |
| 代理商： | 2N6660 |
2N6660, VQ1004J/P
Vishay Siliconix
Document Number: 70222
S-00208—Rev. D, 21-Feb-00
www.siliconix.com FaxBack 408-970-5600
11-3
Ohmic Region Characteristics
Output Characteristics for Low Gate Drive
On-Resistance vs. Drain Current
Normalized On-Resistance
vs. Junction Temperature
Transfer Characteristics
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
–
I
–
I
–
I
–
r
D
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
– Drain Current (A)
T
J
– Junction Temperature ( C)
r
D
(
2.0 V
T
J
= 25 C
100
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
80
60
40
20
0
2.8 V
2.6 V
2.4 V
2.2 V
VGS= 10 V
2.0
0
1
2
3
4
5
1.6
1.2
0.8
0.4
0
VGS= 10 V
8 V
7 V
6 V
5 V
4 V
3 V
2 V
T
J
= 25 C
1.0
0.8
0.6
0
0
2
10
0.4
0.2
4
6
8
125 C
25 C
VDS= 15 V
T
J
= –55 C
2.8
0
4
8
12
16
20
2.4
2.0
1.6
0
1.2
0.8
0.4
1.0 A
0.5 A
T
J
= 25 C
I
D
= 0.1 A
2.5
2.0
1.5
0
0
0.4
2.0
1.0
0.5
0.8
1.2
1.6
VGS= 10 V
T
J
= 25 C
2.25
2.00
1.75
0.50
–50
–10
150
1.50
1.25
30
70
110
1.00
0.75
VGS= 10 V
ID= 1.0 A
0.2 A
1.8 V
)
r
D
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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