參數資料
型號： 2N5884
廠商： 意法半導體
英文描述： Complementary Silicon High Power Transistors(補償型硅高功率晶體管)
中文描述： 互補硅大功率晶體管（補償型硅高功率晶體管）
文件頁數： 1/4頁
文件大?。?/td> 68K
代理商： 2N5884
2N5884
2N5886
COMPLEMENTARY SILICON
HIGH POWER TRANSISTORS
I
SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
I
COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
I
HIGH CURRENT CAPABILITY
APPLICATIONS
I
GENERAL PURPOSE SWITCHING AND
AMPLIFIER
I
LINEAR AND SWITCHING INDUSTRIAL
EQUIPMENT
DESCRIPTION
The 2N5884 and 2N5886 are complementary
silicon power transistor in Jedec TO-3 metal case
inteded for use in power linear amplifiers and
switching applications.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
June 1997
1
2
TO-3
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
2N5884
2N5886
80
80
5
25
50
7.5
200
-65 to 200
200
Unit
PNP
NPN
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
stg
T
j
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Base Current
Total Dissipation at T
c
≤
25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
For PNP types voltage and current values are negative.
V
V
V
A
A
A
W
o
C
o
C
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PDF描述
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參數描述
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2N5885G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 60V 200W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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