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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2N5640RLRE |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類(lèi)： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/35頁(yè) |
| 文件大小： | 353K |
| 代理商： | 2N5640RLRE |
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4–130
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
JFETs Switching
N–Channel — Depletion
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain–Source Voltage
VDS
30
Vdc
Drain–Gate Voltage
VDG
30
Vdc
Reverse Gate–Source Voltage
VGSR
30
Vdc
Forward Gate Current
IGF
10
mAdc
Total Device Dissipation @ TA = 25°C
Derate above 25
°C
PD
350
2.8
mW
mW/
°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
RqJA
357
°C/W
Junction Temperature Range
TJ
– 65 to +150
°C
Storage Temperature Range
Tstg
– 65 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Gate–Source Breakdown Voltage (IG = 10 Adc, VDS = 0)
V(BR)GSS
30
—
Vdc
Gate Reverse Current
(VGS = –15 Vdc, VDS = 0)
(VGS = –15 Vdc, VDS = 0, TA = 100°C)
IGSS
—
1.0
nAdc
Adc
Drain Cutoff Current
(VDS = 15 Vdc, VGS = –6.0 Vdc)
(VDS = 15 Vdc, VGS = –6.0 Vdc, TA = 100°C)
ID(off)
—
1.0
nAdc
Adc
ON CHARACTERISTICS
Zero–Gate–Voltage Drain Current(1)
(VDS = 20 Vdc, VGS = 0)
IDSS
5.0
—
mAdc
Drain–Source On–Voltage
(ID = 3.0 mAdc, VGS = 0)
VDS(on)
—
0.5
Vdc
Static Drain–Source On Resistance
(ID = 1.0 mAdc, VGS = 0)
rDS(on)
—
100
Ohms
1. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms, Duty Cycle v 3.0%.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
2N5640
CASE 29–04, STYLE 5
TO–92 (TO–226AA)
1
2
3
1 DRAIN
3
GATE
2 SOURCE
REV 1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2N5640 | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5640RL | 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 |
| 2N5658 | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-59 |
| 2N5660 | 2 A, 200 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-213 |
| 2N6339 | 10 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-204 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2N5641 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:silicon transistors UHF/VHF power transistors |
| 2N5642 | 制造商:ELCIND 功能描述: |
| 2N5643 | 功能描述:射頻雙極電源晶體管 RF Transistor RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray |
| 2N5646 | 制造商:NJSEMI 制造商全稱(chēng):New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:SI NPN POWER HF BJI |
| 2N5652 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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