參數(shù)資料
型號： 2N5485
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
文件頁數(shù)： 5/7頁
文件大?。?/td> 55K
代理商： 2N5485
2N/SST5484 Series
Vishay Siliconix
Document Number: 70246
S-04028
—
Rev. E, 04-Jun-01
www.vishay.com
7-5
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
V
GS(off)
=
–
2 V
T
A
=
–
55 C
125 C
Transfer Characteristics
T
A
=
–
55 C
125 C
V
GS(off)
=
–
3 V
25 C
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
V
GS(off)
=
–
2 V
T
A
=
–
55 C
125 C
25 C
V
GS
–
Gate-Source Voltage (V)
Transconductance vs. Gate-Source Voltage
T
A
=
–
55 C
125 C
25 C
V
GS(off)
=
–
3 V
I
D
–
Drain Current (mA)
I
D
–
Drain Current (mA)
On-Resistance vs. Drain Current
Circuit Voltage Gain vs. Drain Current
0.1
1
10
T
A
= 25 C
–
3 V
V
GS(off)
=
–
2 V
10
0.1
A
V
g
fs
R
L
R
L
g
os
1
Assume V
DD
= 15 V, V
DS
= 5 V
10 V
I
D
R
L
V
GS(off)
=
–
2 V
–
3 V
10
0
8
6
4
2
0
–
2
–
0.4
–
0.8
–
1.2
–
1.6
300
0
240
180
120
60
10
0
8
6
4
2
0
–
3
–
0.6
–
1.2
–
1.8
–
2.4
10
0
8
6
4
2
0
–
2
–
0.4
–
0.8
–
1.2
–
1.6
10
0
8
6
4
2
0
–
3
–
0.6
–
1.2
–
1.8
–
2.4
100
0
80
60
40
20
V
DS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
= 10 V
f = 1 kHz
V
= 10 V
f = 1 kHz
1
25 C
r
D
–
g
f
–
g
f
–
I
D
–
I
D
–
A
V
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N5486 SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
2N5485 N-Channel JFET High Frequency Amplifier
2N5486 N-Channel JFET High Frequency Amplifier
2N5484 N-Channel JFET High Frequency Amplifier
2N5535 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N5485_D26Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D26Z_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D27Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D74Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D75Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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