參數(shù)資料
型號： 2N5485
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
中文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大小： 55K
代理商： 2N5485
2N/SST5484 Series
Vishay Siliconix
www.vishay.com
7-4
Document Number: 70246
S-04028
—
Rev. E, 04-Jun-01
On-Resistance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
r
DS
g
os
r
DS
@
I
D
= 1 mA, V
GS
= 0 V
g
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
Drain Current and Transconductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
I
DSS
g
fs
I
DSS
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
g
@ V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
–
Gate-Source Cutoff Voltage (V)
V
DG
–
Drain-Gate Voltage (V)
I
D
–
Drain Current (mA)
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
V
DS
–
Drain-Source Voltage (V)
Gate Leakage Current
0.1 mA
I
GSS
@ 25 C
T
A
= 25 C
T
A
= 125 C
I
@
125 C
Output Characteristics
Output Characteristics
Common-Source Forward
Transconductance vs. Drain Current
0.1
1
10
10
8
0
V
GS(off)
=
–
3 V
T
A
=
–
55 C
25 C
125 C
–
0.2 V
–
0.4 V
–
0.6 V
–
0.8 V
–
1.0 V
–
1.2 V
V
GS
= 0 V
–
0.6 V
–
0.9 V
–
1.2 V
–
1.5 V
–
1.8 V
V
GS
= 0 V
–
0.3 V
10
8
0
6
4
2
20
0
16
12
8
4
0
–
10
–
2
–
4
–
6
–
8
100
80
0
60
40
20
500
0
400
300
200
100
0
–
10
–
2
V
GS(off)
–
Gate-Source Cutoff Voltage (V)
–
4
–
6
–
8
0
12
8
4
16
20
0.1 pA
1 pA
10 pA
100 pA
1 nA
10 nA
100 nA
6
4
2
10
0
8
6
4
2
0
10
2
4
6
8
15
0
12
9
6
3
0
10
2
4
6
8
V
= 10 V
f = 1 kHz
V
GS(off)
=
–
2 V
V
GS(off)
=
–
3 V
I
D
= 5 mA
1 mA
0.1 mA
I
D
= 5 mA
1 mA
–
1.4 V
g
–
μ
S
r
D
–
g
f
–
I
D
–
g
f
–
I
G
–
I
D
–
I
D
–
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PDF描述
2N5486 SFET RF,VHF, UHF, Amplitiers
2N5485 N-Channel JFET High Frequency Amplifier
2N5486 N-Channel JFET High Frequency Amplifier
2N5484 N-Channel JFET High Frequency Amplifier
2N5535 5-Pin µP Supervisory Circuits with Watchdog and Manual Reset
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參數(shù)描述
2N5485_D26Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D26Z_Q 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D27Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D74Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
2N5485_D75Z 功能描述:射頻JFET晶體管 NCh RF Transistor RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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