參數(shù)資料
型號(hào)： 2N5116
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel JFET(最大導(dǎo)通電阻150Ω，夾斷電流-10pA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管)
中文描述： P溝道場(chǎng)效應(yīng)（最大導(dǎo)通電阻150Ω，夾斷電流，10pA的P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
文件頁(yè)數(shù)： 3/5頁(yè)
文件大小： 71K
代理商： 2N5116
2N5114/5115/5116
Siliconix
P-37410—Rev. D, 04-Jul-94
3
Typical Characteristics
200
0
6
8
10
4
2
160
0
–100
–80
–60
–40
–20
0
On-Resistance and Drain Current
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
–
I
D
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
r
DS
@ I
D
= –1 mA, V
GS
= 0 V
I
DSS
@ V
DS
= –15 V, V
GS
= 0 V
I
DSS
r
DS
120
80
40
18
0
15
12
9
6
3
6
8
10
2
250
200
150
100
50
0
Forward Transconductance and Output Conductance
vs. Gate-Source Cutoff Voltage
g
f
–
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
g
fs
and g
os
@ V
DS
= –15 V
V
GS
= 0 V, f = 1 kHz
g
fs
g
os
4
250
200
150
100
50
0
–1
–10
–100
On-Resistance vs. Drain Current
I
D
– Drain Current (mA)
T
A
= 25 C
V
GS(off)
= 1.5 V
3 V
5 V
300
–55
25
125
0
–15
85
On-Resistance vs. Temperature
T
A
– Temperature ( C)
V
GS(off)
= 1.5 V
3 V
5 V
I
D
= –1 mA
r
DS
changes X 0.7%/ C
240
180
120
60
–35
5
45
65
105
Turn-On Switching
V
GS(off)
– Gate-Source Cutoff Voltage (V)
t
r
approximately independent of I
D
V
DD
= –10 V, R
G
= 220
V
GS(H)
= 10 V, V
GS(L)
= 0 V
t
ON
@ I
D
= –10 mA
t
ON
@ I
D
= –5 mA
50
0
5
40
20
10
0
30
1
2
3
4
t
r
@ I
D
= –5 mA
S
20
0
–9
–12
–6
–3
–15
16
12
8
4
0
Turn-Off Switching
I
D
– Drain Current (mA)
t
d(off)
V
GS(off)
= 1.5 V
t
f
V
GS(off)
= 1.5 V
V
DD
= –10 V, V
GS(H)
= 10 V, V
GS(L)
= 0 V
5 V
5 V
S
r
D
–
)
r
D
–
)
r
D
–
)
S
g
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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