參數(shù)資料
型號： 2N4118A
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V，最小飽和漏極電流80μA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述： N溝道場效應(yīng)（最小柵源擊穿電壓- 40V的，最小飽和漏極電流80μA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 5/5頁
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代理商： 2N4118A
2N/PN/SST4117A Series
Siliconix
S-52424—Rev. E, 14-Apr-97
5
Typical Characteristics (Cont’d)
2
1
0
0.01
0.1
1
Equivalent Input Noise Voltage vs. Frequency
I
D
– Drain Current (mA)
Common-Source Reverse Feedback Capacitance
vs. Gate-Source Voltage
0.5
On-Resistance vs. Drain Current
Output Conductance vs. Drain Current
V
DS
= 10 V
f = 1 kHz
0
–8
–20
–16
–4
0.4
0.3
0.1
0
f = 1 MHz
V
DS
= 0 V
10 V
10
100
1 k
100 k
10 k
200
0
V
DS
= 10 V
I
D
= 10 mA
V
GS
= 0 V
T
A
= –55 C
125 C
–
C
r
I
D
– Drain Current (mA)
V
GS
– Gate-Source Voltage (V)
f – Frequency (Hz)
0.2
160
120
40
80
–12
V
GS(off)
= –2.5 V
20
0
0.01
0.1
1
16
12
8
4
V
GS(off)
= –0.7 V
–2.5 V
T
A
= 25 C
25 C
n
(
e
n
/
√
)
–
r
D
–
)
S
g
–
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N4117A N-Channel JFET(最小柵源擊穿電壓-40V，最小飽和漏極電流30μA的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
2N4123 NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR
2N4123 Small Signal Transistors
2N4123 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
2N4123 NPN Silicon General Purpose Transistor 625mW
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N4118A_TO-71 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:an Ultra-High Input Impedance N-Channel JFET
2N4118A-2 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:TRANS JFET N-CH 3PIN TO-72 - Bulk
2N4118A-E3 功能描述:JFET 40V 0.08mA RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2N4119 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:
2N4119_TO-71 制造商:MICROSS 制造商全稱:MICROSS 功能描述:an Ultra-High Input Impedance N-Channel JFET
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