參數(shù)資料
型號(hào): 2N3904
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: General Purpose NPN Silicon Transistor(40V(集電極-發(fā)射極)通用型硅NPN晶體管)
中文描述: 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝: CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù): 4/8頁
文件大?。?/td> 102K
代理商: 2N3904
2N3903, 2N3904
http://onsemi.com
4
TYPICAL TRANSIENT CHARACTERISTICS
Figure 3. Capacitance
REVERSE BIAS VOLTAGE (VOLTS)
2.0
3.0
5.0
7.0
10
1.0
0.1
Figure 4. Charge Data
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5000
1.0
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
Q
3000
2000
1000
700
500
300
200
100
50
70
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200
C
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30 40
0.2 0.3
0.5 0.7
Q
T
Q
A
C
ibo
C
obo
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125
°
C
Figure 5. TurnOn Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
70
100
200
300
500
50
Figure 6. Rise Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
T
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
t
r
Figure 7. Storage Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. Fall Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
50
100
200
300
500
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
70
100
200
300
500
50
1.0
2.0 3.0
10
20
70
5
100
5.0 7.0
30
50
200
10
30
20
7
t
f
t
s
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
V
CC
= 40 V
I
B1
= I
B2
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 10
t
r
@ V
CC
= 3.0 V
t
d
@ V
OB
= 0 V
40 V
15 V
2.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
I
C
/I
B
= 10
I
C
/I
B
= 20
t
s
= t
s
1
/
8
t
f
I
B1
=
I
B2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N3904 NPN General Purpose Amplifier(NPN型通用放大器)
2N3905 NPN Silicon General Purpose Transistors(NPN通用型晶體管)
2N3905 General Purpose PNP Silicon Transistor(40V(集電極-發(fā)射極)通用型硅PNP晶體管)
2N3906 NPN Silicon General Purpose Transistors(NPN通用型晶體管)
2N3905 PNP General Purpose Amplifier(PNP型通用放大器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N3904 J05Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
2N3904(TE2,T) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
2N3904,116 功能描述:TRANS NPN SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2N3904,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3904 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 制造商:NTE Electronics 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, 40V, 250MHZ