參數(shù)資料
型號(hào)： 2N3904
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： General Purpose NPN Silicon Transistor(40V（集電極-發(fā)射極）通用型硅NPN晶體管)
中文描述： 200 mA, 40 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
封裝： CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大小： 102K
代理商： 2N3904
2N3903, 2N3904
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
CollectorEmitter Breakdown Voltage (Note 2)
(I
C
= 1.0 mAdc, I
B
= 0)
V
(BR)CEO
40
Vdc
CollectorBase Breakdown Voltage (I
C
= 10 Adc, I
E
= 0)
V
(BR)CBO
60
Vdc
EmitterBase Breakdown Voltage (I
E
= 10 Adc, I
C
= 0)
V
(BR)EBO
6.0
Vdc
Base Cutoff Current (V
CE
= 30 Vdc, V
EB
= 3.0 Vdc)
I
BL
50
nAdc
Collector Cutoff Current (V
CE
= 30 Vdc, V
EB
= 3.0 Vdc)
I
CEX
50
nAdc
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain (Note 2)
(I
C
= 0.1 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
2N3903
2N3904
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
(I
C
= 100 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc)
h
FE
20
40
35
70
50
100
30
60
15
30
150
300
CollectorEmitter Saturation Voltage (Note 2)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc
V
CE(sat)
0.2
0.3
Vdc
BaseEmitter Saturation Voltage (Note 2)
(I
C
= 10 mAdc, I
B
= 1.0 mAdc)
(I
C
= 50 mAdc, I
B
= 5.0 mAdc)
V
BE(sat)
0.65
0.85
0.95
Vdc
SMALLSIGNAL CHARACTERISTICS
CurrentGain Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 20 Vdc, f = 100 MHz)
2N3903
2N3904
f
T
250
300
MHz
Output Capacitance (V
CB
= 5.0 Vdc, I
E
= 0, f = 1.0 MHz)
C
obo
4.0
pF
Input Capacitance (V
EB
= 0.5 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
C
ibo
8.0
pF
Input Impedance
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N3903
2N3904
h
ie
1.0
1.0
8.0
10
k
Voltage Feedback Ratio
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N3903
2N3904
h
re
0.1
0.5
5.0
8.0
X 10
4
SmallSignal Current Gain
(I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
2N3903
2N3904
h
fe
50
100
200
400
Output Admittance (I
C
= 1.0 mAdc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
h
oe
1.0
40
mhos
Noise Figure
(I
C
= 100 Adc, V
CE
= 5.0 Vdc, R
S
= 1.0 k , f = 1.0 kHz)
2N3903
2N3904
NF
6.0
5.0
dB
SWITCHING CHARACTERISTICS
Delay Time
= 3.0 Vdc, V
= 0.5 Vdc,
(V
CC
3.0 Vdc, V
BE
0.5 Vdc,
I
C
= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
t
d
35
ns
Rise Time
t
r
35
ns
Storage Time
(V
CC
= 3.0 Vdc, I
C
= 10 mAdc,
I
B1
= I
B2
= 1.0 mAdc)
2N3903
2N3904
t
s
175
200
ns
Fall Time
t
f
50
ns
2. Pulse Test: Pulse Width
300 s; Duty Cycle
2%.
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PDF描述
2N3904 NPN General Purpose Amplifier(NPN型通用放大器)
2N3905 NPN Silicon General Purpose Transistors(NPN通用型晶體管)
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參數(shù)描述
2N3904 J05Z 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 Bulk
2N3904(TE2,T) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 3-Pin TO-92 T/R
2N3904,116 功能描述:TRANS NPN SW HS 200MA 40V TO92 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
2N3904,412 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS SW BULK STR LEAD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2N3904 制造商:UNBRANDED 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-92 制造商:NTE Electronics 功能描述:RF TRANSISTOR, NPN, 40V, 250MHZ
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