參數(shù)資料
型號(hào)： 2N2906AUA
廠(chǎng)商： MICROSEMI CORP-LAWRENCE
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
中文描述： 600 mA, 60 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： CERAMIC PACKAGE-4
文件頁(yè)數(shù)： 2/2頁(yè)
文件大?。?/td> 44K
代理商： 2N2906AUA
Transition Frequency
Out-Put Capacitance
Input Capacitance
Switching Time
Delay time
Rise time
Turn-On Time
ft **
Cob
Cib
IC=50mA, VCE=20V,f=100MHz
VCB=10V, IE=0,f=100kHz
VBE=2V, IC=0, f=100kHz
200
-
-
-
MHz
8.0
30
pF
pF
td
tr
ton
IC=150mA,IB1=15mA
VCC=30V
-
-
10
40
45
ns
ns
ns
Storage time
Fall time
Turn-Off Time
*Pulse Test :-Pulse Width=300us, Duty Cycle=2%
**ft is defined as the frequency at which \hfe/ extrapolates to unity
ts
tf
toff
IC=150mA, IB1=IB2=15mA
VCC=6V
-
-
-
80
30
100
ns
ns
ns
TO-18 Metal Can Package
G
1
2
3
H
J
L
F
A
D
B
E
C
K
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
MIN
5.24
4.52
4.31
0.40
—
—
—
0.91
0.71
12.70
MAX
5.84
4.97
5.33
0.53
0.76
1.27
2.97
1.17
1.21
—
A
45 DEG
PIN CONFIGURATION
1. EMITTER
2. BASE
3. COLLECTOR
1
2
Packing Detail
http://www.bocasemi.com page: 2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2N2906AUB PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR
2N2906E 2.0A,100V,25NS,UF Avalanche,SMD
2N2907ACSM High Speed Medium Power PNP Switching Transistor In Hermetic Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(高速、中等功率、開(kāi)關(guān)型PNP晶體管（高可靠性、陶瓷表貼封裝）)
2N2907ADCSM Dual High Speed Medium Power PNP Switching Transistor In Hermetic Cermic Surface Mount Package For High Reliability Application(高速、中等功率、開(kāi)關(guān)型雙PNP晶體管（高可靠性、陶瓷表貼封裝）)
2N2907A General Purpose Amplifiers and Switches(硅平面外延工藝PNP晶體管(用于高速飽和開(kāi)關(guān)))
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2N2906AUB 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A 3PIN UB - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
2N2906AUBC 制造商:MICROSEMI 制造商全稱(chēng):Microsemi Corporation 功能描述:RADIATION HARDENED
2N2906AUBJANSR 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:
2N2906CSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1
2N2906DCSM 制造商:SEME-LAB 制造商全稱(chēng):Seme LAB 功能描述:Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed
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