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參數(shù)資料
| 型號： | 20N03HL |
| 廠商： | Motorola, Inc. |
| 英文描述： | HDTMOS E-FET High Density Power FET DPAK for Surface Mount |
| 中文描述： | HDTMOS電子FET的高密度功率FET DPAK封裝的表面貼裝 |
| 文件頁數(shù)： | 11/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 250K |
| 代理商： | 20N03HL |
11
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 369A–13
ISSUE W
STYLE 2:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
D
A
K
B
R
V
S
F
L
G
2 PL
0.13 (0.005)
M
T
E
C
U
J
H
–T–
SEATING
Z
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
R
S
U
V
Z
MIN
0.235
0.250
0.086
0.027
0.033
0.037
0.180 BSC
0.034
0.018
0.102
0.090 BSC
0.175
0.020
0.020
0.030
0.138
MAX
0.250
0.265
0.094
0.035
0.040
0.047
MIN
5.97
6.35
2.19
0.69
0.84
0.94
4.58 BSC
0.87
0.46
2.60
2.29 BSC
4.45
0.51
0.51
0.77
3.51
MAX
6.35
6.73
2.38
0.88
1.01
1.19
MILLIMETERS
INCHES
0.040
0.023
0.114
1.01
0.58
2.89
0.215
0.050
–––
0.050
–––
5.46
1.27
–––
1.27
–––
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 20N60A4 | 600V, SMPS Series N-Channel IGBTsnull |
| 20NAB06 | 3-phase bridge rectifier +braking chopper +3-phase bridge inverter |
| 20NAB12 | 3-phase bridge rectifier +braking chopper +3-phase bridge inverter |
| 20PMT03 | 10/100 Base TX Transformer Designed for general Chipsets |
| 20PMT04B | Single 10Base-T/100Base-TX Transformer Design for varied turn ratio on Tx side |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 20N0500 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Pico/Micro .281'' x .093'' |
| 20N06HDT4 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 20N1000 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Pico/Micro .281'' x .093'' |
| 20N1500 | 制造商:Distributed By MCM 功能描述:Pico/Micro .281'' x .093'' |
| 20N40 | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:400V, 23A N-CHANNEL POWER MOSFET |
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