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參數(shù)資料
| 型號： | 1N914 |
| 英文描述： | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODES |
| 中文描述： | 硅外延平面二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | 1N914 |
1999 May 26
5
Philips Semiconductors
Product specication
High-speed diode
1N914
Fig.5
Reverse current as a function of junction
temperature.
handbook, halfpage
0
100
Tj (
oC)
200
103
102
101
102
10
(1)
(2)
1
IR
(
A)
MGD006
(3)
(1) VR = 75 V; maximum values.
(2) VR = 75 V; typical values.
(3) VR = 20 V; typical values.
Fig.6
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values.
f = 1 MHz; Tj =25 °C.
handbook, halfpage
010
20
1.2
1.0
0.6
0.4
0.8
MGD004
VR (V)
Cd
(pF)
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PDF描述 |
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